Marca | Infineon |
Produs | FP75R12KT4 |
Descriere | Modul de siliciu IGBT |
Cod intern | 4672783 |
Specificații tehnice | Configurare: 3 faze Colector - Emițător de tensiune VCEO Max: 1200 V Colector-emițător de saturație Tensiune: 2,25 V Curent colector continuu la 25 C: 150 A Curent de scurgere a emițătorului de poartă: 100 nA Pd - Disiparea puterii: 385 W |
Va rugam sa ne contactati pentru a comanda pentru a oferi cel mai bun pret si timp de livrare pentru modelul Infineon - FP75R12KT4 Modul de siliciu IGBT , de asemenea, puteti sa va interesati si de un alt model. Putem oferi cel mai bun preț și timp de livrare cu o rețea de distribuție a produselor în România . Vindem numai produse originale și noi
Compania noastră nu este un distribuitor autorizat. Toate drepturile sunt rezervate de către producători și partenerii lor oficiali.
Module IGBT 1200V 1200A SINGLE
Neconforme cu RoHS-*
MODUL IGBT
MODUL IGBT
FZ1200R16KFZ - unknown product
tranzistor 1200A: 1600V
Module IGBT 3300V 1200A SINGLE
Modulul IGBT
FZ800R12KL4C replaced by FZ1200R12HE4NPSA1
Modulul IGBT
(Diodă)
Releu
Corecție factor de putere
IGBT, 600V, 50A, TO247
Modul IGBT
TRANZISTOR DE PUTERE
KTY11-6PTC (ARTIK URETILMIYOR/OBSOLETE)
termistor
Ixys: Tiristor de control al fazelor
powerblock
Conform RoHS-*
diodă
Tiristor